2SD850晶体三极管
| 价 格： | 面议 |
| 是否提供加工定制：是 | 品牌：TOSHIBA/东芝 | 型号：2SD850 |
| 应用范围：功率 | 击穿电压VCEO：600（V） | 集电极允许电流ICM：3（A） |
| 集电极耗散功率PCM：65（W） | 截止频率fT：3（MHz） | 封装形式：TO-3 |
| 封装材料：金属封装 |
Si-NPN 行输出 Vcbo=1500V,Vceo600V,Icm=3A,Pcm=65W,Ft=3Mhz,代换型号:BU208,BU308,BU500,3DD850Q, (带阻尼)
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