三极管2SA1939
| 价 格： | 2.60 |
| 是否提供加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：2SA1939 |
| 应用范围：功率 | 材料：硅(Si) | 极性：PNP型 |
| 结构：平面型 | 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
型号：2SA1939
PNP硅大功率晶体管
封装形式：TO-3PN
电特性：
极限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符 号 | 额定值 | 单 位 |
集电极—发射极电压 | VCE0 | -80 | V |
集电极—基极电压 | VCBO | -80 | V |
发射极—基极电压 | VEBO | -5 | V |
集电极电流 | IC | -6 | A |
基极电流 | IB | -0.6 | A |
耗散功率 | Pc | 60 | W |
结 温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小 | 典型 | |||||
集电极-基极截止电流 | ICB0 | VCB= -80V, IE=0 | — | — | -5.0 | uA |
发射极-基极截止电流 | IEB0 | VEB= -5V,IC=0 | — | — | -5.0 | uA |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC= -50mA, IB=0A | -80 | — | — | V |
直流电流增益 | hFE1 | Vce= -5V Ic= -1A | 55 | — | 160 |
|
hFE2 | Vce= -5V Ic= -3A | 35 | 75 | — | ||
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC= -5A, IB= -0.5A | — | -0.45 | -2.0 | V |
基极-发射极饱和电压 | VBE | VCE= -5V, IC= -3A | — | -0.92 | -1.5 | V |
特征频率 | fT | Vce= -5V，Ic= -1A | — | 30 | — | MHz |
a:脉冲测试 | ||||||
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塑封大功率三极管3DF50C 50A 500W
信息内容：是否提供加工定制：否品牌：国产型号：3DF50C应用范围：功率材料：硅(Si)极性：NPN型集电极允许电流ICM：50（A） 集电极耗散功率PCM：500（W） 结构：平面型封装形式：直插型封装材料：塑料封装杭州富阳奥星电子有限公司业生产销售生产大功率三极管、超声波用晶体管、场效应管、大功率开关三极管、功放对管、单双可控硅、达林顿管、开关晶体管、高反压管等分立电子元器件的高新技术企业。大功率三极管参数：2SC5200 150W 15A 230V2SC4237 100W 10A 800V2SC3320 80W 15A 400V2SC3153 100W 6A 800V2SC3998 250W 25A 800V2SC2246 100W 15A 450V2SC2625 80W 10A 400VBUX48A 200W 20A 450-800VBUS14A 250W 25W 400-600V3DF50C 500W 50A 200V3DD5686 300W 50A 200V
大功率三极管-3DD11E-T
信息内容：加工定制：否品牌：国产型号：3DD11E-T应用范围：功率材料：硅(Si)极性：NPN型集电极允许电流ICM：30（A） 集电极耗散功率PCM：300（W） 结构：平面型封装形式：直插型封装材料：金属封装3DD11E-T参数：电流：30A 功率：300W 电压：250V其他三极管参数：2SC5200 150W 15A 230V2SC4237 100W 10A 800V2SC3320 80W 15A 400V2SC3153 100W 6A 800V2SC3998 250W 25A 800V2SC2246 100W 15A 450V2SC2625 80W 10A 400VBUX48A 200W 20A 450-800VBUS14A 250W 25W 400-600V3DF50C 500W 50A 200V3DD5686 300W 50A 200V"
