12A双向可控硅BTB12-800B
| 价 格： | 面议 |
| 型号：BTB12-800B | 电流：12（A） | 电压：800（V） |
| 触发电流：50 mA（A） | 结温：110（℃） | 封装形式：TO-220AB |
| 控制方式：双向 |
| ?产品类别：12A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 |
| ?工业型号：BTB12-800B |
| ?封装形式：TO-220AB |
| ?电流/IT(RMS)：≥12 A |
| ?电压/VDRM：≥800V |
| ?触发电流/IGT： |
| IGTⅠ(T2+G+)：≤50 mA（象限） |
| IGTⅡ(T2+G-)：≤50 mA（第二象限） |
| IGTⅢ(T2-G-)：≤50 mA（第三象限） |
| IGTⅣ(T2-G+)：≤100 mA（第四象限） |
| ?触发电压/VGT：＜1.3 V |
| ?门极散耗功率：1 W |
| ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
| ?器件品牌：ST、KKG （同时供应） |
| ?包装规格：管装， 每管50pcs， 每盒1Kpcs |
| 一盒/1K起出货，原包装无零散数量时不拆零 |
| ?库存状况：现货供应 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴菊华
- 电话：755-27832499
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2A双向可控硅BT134-800E
信息内容：型号：BT134-800E(2A,800V)电流：2（A） 电压：800（V） 触发电流：＜10 mA（A） 结温：110（℃） 封装形式：SOT-82(TO-126T)控制方式：双向 ?产品类别：2A 双向可控硅 ?工业型号：BT134-800E ?封装形式：SOT-82（TO-126两种封装） ?电流/IT(RMS)：≤ 2 A ?电压/VDRM：≥800V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：≤10 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：≤10 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤10 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：≤25 mA（第四象限） ?触发电压/VGT：0.7～1.5V ?门极散耗功率：0.1W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：KKG （HAOHAI ELECTRONICS） ?包装规格：袋装， 每包1Kpcs， 每盒10Kpcs 管装，每管50PCS，每盒1K，每箱10K ?库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应）
8A双向可控硅BT137-600D
信息内容：型号：BT137-600D(8A,600V)电流：8（A） 电压：≥600（V） 触发电流：＜5 mA（A） 结温：110（℃） 封装形式：TO-220AB(220半塑封)控制方式：双向 ?产品类别：8A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ?工业型号：BT137-600D ?封装形式：TO-220AB（220半塑封） ?电流/IT(RMS)：≥ 8 A ?电压/VDRM：≥600V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：≤5 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：≤5 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤5 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：≤7 mA（第四象限） ?触发电压/VGT：0.7～1.5V ?门极散耗功率：0.5W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：KKG、Philips 两种品牌同时供应 ?包装规格：管装，每管50，每盒1K，每箱6K ?库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应）
