| 是否提供加工定制:是 | 品牌:0N/安森美 | 型号:2N6491 |
| 应用范围:达林顿 | 材料:锗(Ge) | 极性:PNP型 |
| 击穿电压VCBO:30(V) | 集电极允许电流ICM:30(A) | 集电极耗散功率PCM:45(W) |
| 截止频率fT:45(MHz) | 结构:扩散型 | 封装形式:TO-220 |
| 封装材料:金属封装 |
原装供应三极管2N6491
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"是否提供加工定制:是品牌:NEC/日本电气型号:2SJ138应用范围:达林顿材料:硅(Si)极性:PNP型击穿电压VCBO:30(V) 集电极允许电流ICM:30(A) 集电极耗散功率PCM:45(W) 截止频率fT:4(MHz) 结构:扩散型封装形式:TO-263封装材料:金属封装供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138供应三极管2SJ138
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