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12A全塑封单向可控硅BT151X-650R

价 格: 面议

型号:BT151X-650R电流:12(A) 电压:≥650(V)
触发电流:2-15 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220FP、SOT-186 全塑封
控制方式:单向

?产品类别:单向可控硅-SCRsThyristors
?产品性能:12A 全塑封
?工业型号:BT151X-650R  (飞利浦型号)
?封装外形:TO-220FP  (220全塑封,SOT186A)
?管脚排列:K-A-G K-CathodeA-AnodeG-Gate
?电流/IT(RMS):≤12 A (ITSM: 100 A IT(AV): 7.5 A)
?电压/VDRM:≥650V
?触发电流/IGTGate trigger currentVD=12VIT=0.1A
 215 mA(中间值值)(毫安)
?触发电压/VGT 0.61.5 V
?门极散耗功率:0.5 W
?工作温度/Tj-40~+110°C  (储存温度: -40~+150)
?器件品牌:KKGHaohai Electronics
?包装规格:管装,每管50PCS,每盒1KPCS
?库存状况:大量现货。可长期稳定供应

深圳市浩海电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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12A单向可控硅BT151-650R

信息内容:

型号:BT151-650R电流:12(A) 电压:≥650(V) 触发电流:2-15 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220AB 封装控制方式:单向 ?产品类别:单向可控硅-SCRs,Thyristors ?产品性能:12A 塑封单向 ?工业型号:BT151-650R (飞利浦型号) ?封装外形:TO-220AB (220半塑封) ?管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ?电流/IT(RMS):≤12 A( ITSM: ≤100 A ;IT(AV): ≤7.5 A ) ?电压/VDRM:≥650V ?触发电流/IGT:Gate trigger current(VD=12V;IT=0.1A)  2~15 mA(中间值~值)(毫安) ?触发电压/VGT: 0.6~1.5 V ?门极散耗功率:0.5W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌:KKG(Haohai Electronics) ?包装规格:管装,每管50PCS,每盒1KPCS ?库存状况:大量现货。可长期稳定供应

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6A/单向可控硅--HCP6C60

信息内容:

型号:HCP6C60电流:6.0(A) 电压:≥600(V) 触发电流:≤15m(A) 结温:-40~+125(℃) 封装形式:TO-220控制方式:单向 ?产品类别:6A 单向可控硅-SCRs ?工业型号:SCR6C60 ?公司型号:HCP6C60 ?封装外形:TO-220 ?管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode) ?储存温度/Tstg: -40~+150℃, 结温/Tj:-40~+125°C ?重复峰值断态电压/VDRM:≥600 V ?通态电流/均方值 IT(RMS): ≤6.0A ?平均通态电流/均方值 IT(AV):≤3.8 A ?浪涌通态电流/ITSM:≤66 A (60HZ,正弦波,1/2周期, 不重复) ?反向峰值门极电压/VGRM:5 V ?正向峰值门极电流/IFGM:2.0 A ?峰值门极功耗/PGM:5.0 W ?重复峰值断态电流/IDRM/RRM:≤10 uA (VAK=VDRM,Ta=25℃) 重复峰值断态电流/IDRM/RRM:≤200 uA (VAK=VDRM,Ta=125℃) ?峰值通态电压/VTM:≤1.6 V 值 (ITM=9.0A,tp=380us) ?门极触发电流/IGT: ≤15 mA 值 (VAK=6V,RL=10Ω,Ta=25℃) ?门极触发电压/VGT: ≤1.5V 值 (VAK=6V,RL=10Ω,Ta=25℃) ?门极不触发电压/VGD: ≥ 0.2V (VAK=12V,RL=100Ω,Ta=125℃) ?维持电流/IH: ≤20mA 值 (IT=100mA,,栅极开路,Ta=25℃) ?电压...

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