12A单向可控硅TYN812T
| 价 格： | 面议 |
| 型号：TYN812T | 电流：12（A） | 电压：800（V） |
| 触发电流：0.5-5 mA（A） | 结温：125（℃） | 封装形式：TO-220AB |
| 控制方式：单向 |
| ?产品类别：12A 单向可控硅-SCRs |
| ?工业型号：TYN812T （意法ST型号） |
| ?封装外形：TO-220AB （ 220半塑封 ） |
| ?管脚排列：K-A-G (K-Cathode；A-Anode；G-Gate) |
| ?电流/IT(RMS)：≥12 A ( ITSM: ≤146 A ) |
| ?电压/VDRM：≥800V |
| ?触发电流/IGT：0.5～5 mA （毫安） |
| ?触发电压/VGT： ≤1.3 V |
| ?门极散耗功率：1 W (Average gate power dissipation) |
| ?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) |
| ?器件品牌：ST、KKG（多种品牌同时供应） |
| 也可提供性能/参数相同之代替品 |
| ?包装规格：袋装，每盒1包，每盒250 Pcs |
| ?供应状况：接受订货 可长期供应 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴菊华
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0.8A贴片单向可控硅HBT169M
信息内容：型号：HBT169M电流：0.8（A） 电压：≥400（V） 触发电流：50-200 uA（A） 结温：125（℃） 封装形式：SOT-89 贴片封装控制方式：单向 ?产品类别：贴片单向可控硅-SCRs ?工业型号：HBT169M ?封装外形：SOT-89 （SOT-89 贴片封装） ?管脚排列：G-A-K (G-Gate；A-Anode；K-Cathode) ?电流/IT(RMS)：≤0.8 A (ITSM: ≤8 A ；IT(AV): ≤0.5 A) ?电压/VDRM：≥400V ?触发电流/IGT：Gate trigger current (VD=12V；IT=10mA) --～50～200 ?A (最小值~中间值~值) (微安) ?触发电压/VGT： 0.5～0.8V（Gate trigger voltage） ?门极散耗功率：0.1W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG ?制造商: HAOHAI ?包装规格：卷袋卷盘包装，每卷1K，每盒4K 整卷起出货，原包装产品无零散数量时不拆零 ?供应状况：大量现货，接受订货。可长期稳定供应
0.8A微触发单向可控硅ML1225AB
信息内容：型号：ML1225AB电流：0.8（A） 电压：300（V） 触发电流：15-20 uA（A） 结温：125（℃） 封装形式：Package TO-92控制方式：单向 ?产品类别：0.8A 微触发 单向可控硅-SCRs ?工业型号：ML1225AB ?封装外形：TO-92 ?管脚排列：K-G-A (K-Cathode；G-Gate；A-Anode) ?电流/IT(RMS)：≤0.8 A (ITSM: ≤8 A ；IT(AV): ≤0.5 A) ?电压/VDRM：≥300V ?触发电流/IGT：后缀"AB": 15～20 ?A ?触发电压/VGT： 1V (VD=7V) ?门极散耗功率：0.1W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: ≤250℃) ?器件品牌：KKG（Haohai Electronics） ?包装规格：袋装，每包1K，每盒10K，每箱100K 一盒起出货，原包装产品无零散数量时不拆零 ?供货状况：现货供应，接受订货。可长期稳定供应
