型号:BT152-600R | 电流:20(A) | 电压:≥600(V) |
触发电流:3-32 mA(A) | 结温:110(℃) | 封装形式:TO-220FP、SOT-186 全塑封 |
控制方式:单向 |
?产品类别:单向可控硅-SCRs,Thyristors |
?产品性能:20A 半塑封 |
?工业型号:BT152-800R (飞利浦型号) |
?封装外形:TO-220AB ( 220半塑封) |
?管脚排列:K-A-G(K-Cathode;A-Anode;G-Gate) |
?电流/IT(RMS):≤20 A(ITSM: ≤200A ;IT(AV): ≤13A) |
?电压/VDRM:≥800V |
?触发电流/IGT:Gate trigger current(VD=12V;IT=0.1A) |
3~32 mA(中间值~值)(毫安) |
?触发电压/VGT: 0.6~1.5 V |
?门极散耗功率:0.5W |
?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) |
?器件品牌:KKG |
?制 造 商:Haohai Electronics |
?包装规格:管装,每管50PCS,每盒1KPCS |
?供货状况:少量库存,接受订货。可长期稳定供应 |
型号:TYN1016电流:16(A) 电压:1000(V) 触发电流:2-25 mA(A) 结温:125(℃) 封装形式:TO-220AB控制方式:单向 ?产品类别:16A 单向可控硅-SCRs ?工业型号:TYN1016 (意法ST型号) ?封装外形:TO-220AB ( 220半塑封 ) ?管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ?电流/IT(RMS):≥16 A ( ITSM: ≤200 A ) ?电压/VDRM:≥1000V ?触发电流/IGT:2~25 mA (毫安) ?触发电压/VGT: ≤1.3 V ?门极散耗功率:1 W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG(多种品牌同时供应) 也可提供性能/参数相同之代替品 ?包装规格:袋装,每盒1包,每盒250 Pcs ?供应状况:接受订货 可长期供应
品牌:浩海型号:MCR100-6封装材料:塑料封装控制方式:单向极数:三极?产品类别:0.8A单向可控硅-SCRs?工业型号:MCR100-6?封装外形:SOT-23?管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode)?储存温度/Tstg: -40~+150℃ (结温/Tj:-40~+125°C)?重复峰值断态电压/VDRM:≥400 V?通态电流/均方值/ IT(RMS):≤0.8 A?平均通态电流/IT(AV):≤0.5 A (半正弦波,Tc=112℃)?浪涌通态电流/ITSM:≤10 A (60HZ,正弦波,1/2周期,不重复)?反向峰值门极电压/VGRM:5 V?正向峰值门极电流/IFGM:1.0 A?断态重复峰值电流/IDRM:≤10 uA (VAK=VDRM或VRRM,RGK=1000Ω,Tc=25℃) 断态重复峰值电流/IDRM:≤200 uA (VAK=VDRM或VRRM,RGK=1000Ω, Tc=125℃)?峰值通态电压/VTM:1.2~1.7 V 典型值~值 (ITM=1.0A)?门极触发电流/IGT:≤200?A (VAK=7V,RL=100Ω,TC=25℃) 门极触发电流/IGT:≤500?A (VAK=7V,RL=100Ω,TC=-40℃)?门极触发电压/VGT:≤0.8V (VAK=7V,RL=100Ω,Ta=25℃) 门极触发电压/VGT:≤1.2V (VAK=7V,RL=100Ω,Ta=40℃)?门极不触发电压/VGD:≥0.2V (VAK=12V,RL=100Ω,Ta=125℃)?维持电流/IH: 2~5...