主要参数:
通态电流IT(RMS)=12A
浪涌电流ITSM=120A
正向耐压VDRM>600V
反向耐压VRRM>600V
触发电流IGT(Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ/Ⅳ)<25/25/25/50mA(C),50/50/50/100mA(B)
通态压降VTM<1.55V(17A)
直接代换(ST)型号包括:BTB12-600B,BTB12-600C,BTB12-800B,BTB12-800C
相关系列(ST)型号包括:BTA04,BTA06,BTA08,BTA10,BTA12,BTA16,BTB04,BTB06,BTB08,BTB10,BTB12,BTB16,Z0405,Z0409,Z0410
致力于可控硅国产化,让我们做得更好!
产品详细参数电压 : 600/800V 触发电流 : 25/25/25/50mA
"主要参数:通态电流IT(RMS)=4A浪涌电流ITSM=20A正向耐压VDRM>600V反向耐压VRRM>600V触发电流IGT(Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ/Ⅳ)<5/5/5/5mA,10/10/10/10mA,25/25/25/25mA通态压降VTM<2.0V(5.5A) 直接代换(ST)型号包括:Z0405MF,Z0409MF,Z0410MF,Z0405NF,Z0409NF,Z0410NF相关系列(ST)型号包括:BTA04,BTA06,BTA08,BTA10,BTA12,BTA16,BTB04,BTB06,BTB08,BTB10,BTB12,BTB16,Z0405,Z0409,Z0410致力于可控硅国产化,让我们做得更好!产品详细参数电压 : 600/800V 触发电流 : 5/5/5/5mA
主要参数:通态电流IT(RMS)=12A浪涌电流ITSM=80A正向耐压VDRM>600V反向耐压VRRM>600V触发电流IGT(Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ/Ⅳ)<5/5/5/10mA(D),10/10/10/10mA(S),10/10/10/25mA(A)通态压降VTM<1.75V(11A) 直接代换(ST)型号包括: BTA12-600D,BTA12-600S,BTA12-600A,BTA12-700D,BTA12-700S,BTA12-700A相关系列(ST)型号包括:BTA04,BTA06,BTA08,BTA10,BTA12,BTA16,BTB04,BTB06,BTB08,BTB10,BTB12,BTB16,Z0405,Z0409,Z0410致力于可控硅国产化,让我们做得更好!产品详细参数电压 : 600/800V 触发电流 : 10/10/10/25mA