主要参数:
通态电流IT(RMS)=10A
浪涌电流ITSM=100A
正向耐压VDRM>600V
反向耐压VRRM>600V
触发电流IGT<15mA
通态压降VTM<1.6V(20A)
直接代换(ST)型号包括:TYN210,TYN410,TYN610,TYN810
相关系列(ST)型号包括:X0405,X0402,TS420,TS820,TYN608,TYN610,TYN612,TYN612T,TYN612MFP,TYN616,TYN625
致力于可控硅国产化,让我们做得更好!
产品详细参数电压 : 600/800V 触发电流 : 3-4mA
"主要参数:通态电流IT(RMS)=4A浪涌电流ITSM=35A正向耐压VDRM>600V反向耐压VRRM>600V触发电流IGT<200uA(微触发)通态压降VTM<1.8V(5A) 直接代换(PH)型号包括:BT148-400R,BT148-500R,BT148-600R相关系列(PH)型号包括:BT148,BT150,BT258,BT258X,BT151,BT151X,BT152,BT152X,BT145致力于可控硅国产化,让我们做得更好!产品详细参数电压 : 400/500/600V 触发电流 : 10-30uA
主要参数:通态电流IT(AV)=5A浪涌电流ITSM=80A正向耐压VDRM>600V反向耐压VRRM>600V触发电流IGT<10mA通态压降VTM<1.4V(10A) 直接代换(NEC)型号包括:5P4M,5P6M相关系列(NEC)型号包括:2P4M,2P6M,3P4M,3P6M,5P4M,5P6M,5P4SMA,5P6SMA,8P2M,8P4M,8P2SMA,8P4SMA致力于可控硅国产化,让我们做得更好!产品详细参数电压 : 600V 触发电流 : 3-4mA