一系列32k*8位高速sram存储器IC CY62256LL-70SNXC
| 价 格： | 面议 |
为32K*8位字长的高性能CMOS静态RAM,高速率
—55 ns
·温度等级
—商业级：0℃～70℃
—工业级：–40℃～85℃
—军工级：–40℃～125℃
·电压范围
—4.5V – 5.5V
·低工作功耗，低待机功耗
·通过/CE和/OE轻松实现存储器扩展
·兼容TTL输入输出标准
·未选中时自动掉电
·CMOS工艺，速率功耗.
供应存储器全系列WS62256/WS6264.CY62256LL-70SNXC
"- 所属城市：广东 深圳
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一系列电子元器件存储器IC
信息内容：主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。注：&ld...
一系列三星内存存储器芯片IC FLASH 16*16 256M
信息内容：类型：存储器品牌：Samsung/三星型号：K4S561632H-UC75 K4S561632N-LC75 K4S561632N-LC60 K4S561632J-UC60 K4S561632J-75存储容量：256电源电流：1电源电压：1功率：1针脚数：54封装：TSOP54批号：2012主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、...
