| 品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:017N06N | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:60(V) |
| 夹断电压:60(V) | 跨导:50(μS) | 极间电容:6000(pF) |
| 低频噪声系数:24(dB) | 漏极电流:500(mA) | 耗散功率:500(mW) |
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