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场效应管LR4343

价 格: 1.00

品牌:IR/国际整流器型号:LR4343种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V)
夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF)
低频噪声系数:4(dB) 漏极电流:54(mA) 耗散功率:5(mW)

原装现货供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343供应场效应管LR4343

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蔡楚杰
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场效应管LR2703

信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:LR2703种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管LR2703供应场效应管LR2703供应场效应管LR2703供应场效应管LR2703供应场效应管LR2703供应场效应管LR2703供应场效应管LR2703

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场效应管011N04N(图)

信息内容:

品牌:INFINEON/英飞凌型号:011N04N种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:40(V) 夹断电压:40(V) 跨导:50(μS) 极间电容:6000(pF) 低频噪声系数:24(dB) 漏极电流:500(mA) 耗散功率:500(mW) 供应场效应管011N04N供应场效应管011N04N供应场效应管011N04N供应场效应管011N04N供应场效应管011N04N供应场效应管011N04N

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