品牌:ST/意法 | 型号:14NM65N | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:500(V) |
夹断电压:500(V) | 跨导:24(μS) | 极间电容:560(pF) |
低频噪声系数:24(dB) | 漏极电流:500(mA) | 耗散功率:600(mW) |
供应高压场效应管14NM65N(图)供应高压场效应管14NM65N(图)供应高压场效应管14NM65N(图)供应高压场效应管14NM65N(图)供应高压场效应管14NM65N(图)供应高压场效应管14NM65N(图)
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品牌:ST/意法型号:STB22NM60N种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:500(V) 夹断电压:500(V) 跨导:24(μS) 极间电容:560(pF) 低频噪声系数:24(dB) 漏极电流:500(mA) 耗散功率:600(mW) 供应高压场效应管STB22NM60N供应高压场效应管STB22NM60N供应高压场效应管STB22NM60N供应高压场效应管STB22NM60N供应高压场效应管STB22NM60N"