品牌:IR/国际整流器 | 型号:LR024N | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:45(μS) | 极间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | 漏极电流:45(mA) | 耗散功率:45(mW) |
原装进口供应场效应管LR024N
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