场效应管2N90
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌：IR/仙童/INFINEON | 型号：2N90 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：NF/音频(低频) |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | 极间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | 漏极电流：45（mA） | 耗散功率：45（mW） |
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"蔡楚杰
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场效应管20N60
信息内容：品牌：IR/仙童/INFINEON型号：20N60种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：MOS-TPBM/三相桥封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GaAS-FET砷化镓开启电压：30（V） 夹断电压：30（V） 跨导：45（μS） 极间电容：45（pF） 低频噪声系数：45（dB） 漏极电流：45（mA） 耗散功率：45（mW） 原装进口供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60
