供应 IPP320N20N3G 英飞凌 功率晶体管N通道
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IPP320N20N3G | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
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本公司代理销售ON/安森美,Infineon/英飞凌,FAIRCHIL/仙童,VISHAY/威世,NS/国半,ST/意法,IR等进口厂家全系场效应管,MOS管,大中小功率管,稳压管,高频管,电原管理IC,复位检测IC,电源保护IC
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Infineon/英飞凌:BSC TLE BTS BSP ISP IPB IPD SPB SPD开头产品优势供应
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信息内容：STP11NM80 - STF11NM80 STB11NM80 - STW11NM80 dzsc/18/7876/18787697.jpgdzsc/18/7876/18787697.jpgN-CHANNEL800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh功率MOSFET - 意法半导体 意法三极管 意法场效应管 意法MOS管 意法大功率管 意法中功率管 意法小功率管 STF11NM80 - N-CHANNEL800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh功率MOSFET - 意法半导体（ST） ■典型RDS（ON）= 0.35Ω■低栅极输入电阻■低输入电容和栅极电荷■RDS（ON）* Qg和中的工业DESCRIP的 TIONThe MDmesh™联营公司与本公司的PowerMESH™水平布局，确保一个悬而未决的低导通电阻的多漏过程。采用该公司专有的条技术产生整体动态性能显着优于的同类竞争的products.APPLICATIONSThe的800 V MDmesh™系列非常适合于单台交换机的应用程序，特别是反激式和正激转换器拓扑结构和点火电路中的照明领域。
VND7NV04 ST场效应管 意法半导体场效应管
信息内容：VND7NV04 - “OMNIFET II”：完全AUTOPROTECTED的功率MOSFET - 意法半导体（ST） ■线性电流限制 ■热关断 ■短路保护 ■集成钳位 ■低电流从输入引脚 ■通过输入引脚的诊断反馈 ■ESD保护 ■直接接入电源的门 MOSFET（模拟驾驶） ■兼容标准功率MOSFET 遵守2002/95/EC欧洲 指示 描述 VNN7NV04，VNS7NV04，VND7NV04 VND7NV04-1，单片器件设计 意法半导体VIPower M0-3技术， 用于更换标准电源 从DC至50 kHz应用的MOSFET。 内置热关机，线性电流限制 和过电压钳位保护在恶劣的芯片 环境。 故障反馈，可通过监视检测 在输入引脚的电压。 dzsc/18/7876/18787698.jpgdzsc/18/7876/18787698.jpg
