价 格: | 面议 | |
型号/规格: | B649 | |
品牌/商标: | XZJ | |
封装形式: | TO-126 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | 小功率 | |
频率特性: | 中频 | |
极性: | NPN型 |
深圳市新志佳半导体有限公司生产三极管.产品广泛应用于:节能灯、玩具、充电器、电源、镇流器、收录机等 等。还可根据客户需求,生产研制产品。长备充足货源,无论国内外需求厂家,我司都能提供准时。以下是产品规格.参数.介绍.
饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
晶体三极管发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。PNP型三极管发射区“发射”的是空穴,移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区“发射”的是自由电子,移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管均有PNP型和NPN型两种类型.
加工定制: | 否 | 品牌: | HIT |
型号: | B649 | 应用范围: | 放大 |
材料: | 硅(Si) | 极性: | NPN型 |
击穿电压VCEO: | 1(V) | 集电极允许电流ICM: | 1(A) |
集电极耗散功率PCM: | 1(W) | 截止频率fT: | 1(MHz) |
结构: | 点接触型 | 封装形式: | TO-126 |
封装材料: | 塑料封装 |
深圳市新志佳半导体有限公司生产三极管.产品广泛应用于:节能灯、玩具、充电器、电源、镇流器、收录机等 等。还可根据客户需求,生产研制产品。长备充足货源,无论国内外需求厂家,我司都能提供准时。以下是产品规格.参数.介绍. 晶体三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征频率。晶体三极管的参数是使用与选用晶体三极管时的重要依据,为此了解晶体三极管的参数可避免选用或使用不当而引起管子的损坏. 晶体三极管最初的三极管是由锗(半导体)做成的。但是,锗具有在80℃左右时发生损坏的缺点,因此现在的三极管几乎都使用硅,硅可以耐受180℃左右的高温。 加工定制: 否 品牌: ST 型号: BT134 应用范围: 放大 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 1(V) 集电极允许电流ICM: 1(A) 集电极耗散功率P...
产品类型:肖特基管 结构:平面型 材料硅:(Si) 封装形式:TO-220 封装材料:金属封装 功率特性:中功率 频率特性:高频 正向直流电流IF:(A) 反向电压:(V) 纯金属制作 瞬态保护,为保护环 低功耗高效率 高浪涌能力,高电流能力 工作温度:-55℃to +150℃ 额定电流:IF=20A 正向压降:VF=0.7V 反向耐压:VR=100V ...