双向可控硅 BTA16
| 价 格： | 1.40 |
| 品牌：ST/意法 | 型号：BTA16 | 控制方式：双向 |
| 极数：三极 | 封装材料：塑料封装 | 封装外形：平底形 |
| 散热功能：带散热片 | 频率特性：高频 | 功率特性：大功率 |
| 额定正向平均电流：16（A） | 控制极触发电流：10-20（mA） | 稳定工作电流：160（A） |
| 反向重复峰值电压：800（V） |
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产品特征和主要用途:
NPNPN五层结构的硅双向器件；具有自主知识
产权的单面挖槽技术，台面玻璃钝化工艺；背面多层
金属化电极；具有较高的阻断电压和较高的温度稳定性；
主要用于：吸尘器、电动工具等马达调速控制器；
固态继电器；加热控制器（调温）；其它相控电路。
●极限参数
符号 | 参数名称 | 数值 | 单位 | |||
IT(RMS) | 通态方均根电流 | BTA BTB | Tc=80℃ Tc=90℃ | 16 | A | |
ITSM | 通态浪涌电流 | F=50HZ | t=20ms | 160 | A | |
I2t | I2t的极限值 | tp=10ms | 144 | A2S | ||
di/dt | 通态电流临界上升率 |
| Tj=125℃ | 50 | A/us | |
VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 |
| Tj=25℃ | 800 | V | |
IGM | 门极峰值电流 | tp=20us | Tj=125℃ | 4 | A | |
PG(AV) | 门极平均耗散功率 | Tj=125℃ | 1 | W | ||
Tstg Tj | 储存温度 有效结温 | －40to+150 －40to+125 | ℃ | |||
●电特性
符号 | 名称和测试条件 | 象 限 |
| 数值 | 单位 | |
IGT | 触发电流 VD=12V RL=100Ω 触发电压 | ⅠⅡⅢ Ⅳ | MAX | 30 80 | mA | |
VGT |
| MAX | 1.5
| V | ||
VGD | 不触发电压 Tj=125℃ |
| MIN | 0.2 | V | |
IH | 维持电流 IT=0.5A | MAX | 60 | mA | ||
IL |
擎住电流 IG=1.2IGT | ⅠⅡⅢ |
MAX | 60 |
mA | |
Ⅳ | 100 | |||||
dv/dt | 断态电压临界上升率VD=2/3VDRM Tj=125℃ | MIN | 500 | V/us | ||
(dv/dt)c | 换向电压临界上升率 Tj=125℃ | MIN | 10 | V/us | ||
●静态参数
符号 | 名称和测试条件 | 数值 | 单位 | ||
VTM | 通态峰值电压ITM= 32A | Tj=25℃ | MAX | 1.55 | V |
VT0 | 门槛电压 | Tj=125℃ | MAX | 0.87 | V |
Rd | 斜率电阻 | Tj=125℃ | MAX | 14.6 | mΩ |
IDRM IRRM | 断态峰值电流 反向峰值电流 | Tj=25℃ Tj=125℃ | MAX | 5 | uA |
1 | mA | ||||
Rth(j-c) |
| BTA |
| 2.1 |
℃/W |
BTB |
| 1.3 | |||
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