价 格: | 面议 |
品牌:国产 | 型号:S9014 | 应用范围:功率 |
材料:锗 | 极性:NPN型 | 击穿电压VCBO:50(V) |
集电极允许电流ICM:0.1(A) | 集电极耗散功率PCM:0.4(W) | 截止频率fT:150(MHz) |
结构:平面型 | 封装形式:TO-92 | 封装材料:塑料封装 |
产品广泛用于节能灯、放大电路等,欢迎来电查询!
FEATURES
Power dissipation
PCM: 0.4 W (Tamb=25℃)
Collector current ICM: 0.1 A Collector-base voltage
V(BR)CBO: 50 V
Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
"品牌:国产型号:S9015应用范围:功率材料:锗极性:PNP型击穿电压VCBO:-50(V) 集电极允许电流ICM:0.1(A) 集电极耗散功率PCM:0.45(W) 截止频率fT:150(MHz) 结构:平面型封装形式:TO-92封装材料:塑料封装 产品广泛用于节能灯、放大电路等,欢迎来电查询! FEATURESPower dissipationPCM: 0.45 W (Tamb=25℃)Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltageV(BR)CBO: -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
品牌:0N/安森美型号:C106D1控制方式:单向极数:三极封装材料:塑料封装封装外形:TO-126关断速度:普通散热功能:不带散热片频率特性:低频功率特性:小功率额定正向平均电流:2(A) 控制极触发电流:10-30(mA) 反向重复峰值电压:500(V) 供应微触发单向可控硅 欢迎来电查询. 特点:1.主要用于漏电子保护器及其他电子设备的保护及控制电路.2.采用 N 型 NTD 硅单晶片,表面玻璃钝化平面工艺制作.3.断态峰值电压高,低的 VTM及离散性小的 IGT.。 额定值(Ta=25℃)断态重复峰值电压 VDRM 500V通态平均电流 IT(AV) 2A通态(不重复)浪涌电流 ITSM 20A控制极平均功率 PC(AV) 0.2W贮存温度 T-40~110℃"