供应KF2002A30M3G 3V电压检测IC
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | KF2002A30M3G | |
| 品牌/商标： | KF |
深圳市润芯微电子有限公司
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KF2002电压检测芯片
KF2002是高精度低功耗电压检测器，采用CMOS工艺技术制造，检测电压度高，且温度漂移小。
特征 N沟开漏输出，低功耗电压检测器
输入电压 (V) 0.7～7
输入电压(V) 7
典型静态电流(uA) 0.7
检测电压(V) 2.1～4.4
检测电压精度 ±1%
封装形式 SOT23
- 所属城市：广东 深圳
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供应KF3010 N沟道MOS管替代AO3400
信息内容：深圳市润芯微电子有限公司 联系人：赵小姐 联系电话：0755-33100277 手机：13530255775 QQ：1310658007 KF3010系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。KF3010适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。 特点: ● 30V/5.8A ● RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A ● RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A ● RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A ● 超大密度单元、极小的RDS(ON)） ● 超小封装：SOT23 应用: ● 电池电源管理 ● 高速开关 ● 低功率DC/DC转换
供应KF3002场效应MOS管替代SI2302
信息内容：深圳市润芯微电子有限公司 联系人：赵小姐 联系电话：0755-33100277 手机：13530255775 QQ：1310658007 KF3002低导通电阻NMOS管 KF3002是N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。 特 点 输出电流(mA) <3000 输入电压(V) 20V 封装形式 SOT23-3 主要替代型号 SI2302
