价 格: | 0.60 |
dzsc/18/7828/18782887.jpg
dzsc/18/7828/18782887.jpg
dzsc/18/7828/18782887.jpg
dzsc/18/7828/18782888.jpgdzsc/18/7828/18782888.jpgSS8050参数如下:晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()1.5A电压 - 集电极发射极击穿()25VIb、Ic条件下的Vce饱和度()500mV @ 80mA, 800mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)85 @ 100mA, 1V功率 - 1W频率 - 转换100MHz安装类型通孔
是否提供加工定制:是品牌:国产型号:s8050应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型集电极允许电流ICM:50(A) 集电极耗散功率PCM:0.625(W) 截止频率fT:30(MHz) 结构:点接触型封装形式:直插型封装材料:塑料封装 dzsc/18/7828/18782889.jpgdzsc/18/7828/18782889.jpg 8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz8050引脚图dzsc/18/7828/18782889.jpg芯片尺寸:4 英寸(100mm)芯片代码:C060AJ-00芯片厚度:240±20μm管芯尺寸:600×600μm 2焊位尺寸:B 极130×150μm 2;E 极140×130μm 2电极金属:铝背面金属:金典型封装:S8050,H8050极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-92)Tstg——贮存温度 -55~150℃Tj——结温 150℃PC——集电极耗散功率 1WVCBO——集电极—基极电压 40VVCEO——集电极—发射极电压 25VVEBO——发射极—基极电压 6VIC——集电极电流 1.2A