

| 价 格: | 0.10 |
| 品牌:AO | 型号:AO3404/3402 | 种类:结型(JFET) |
| 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 |
| 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:222(V) |
| 夹断电压:20(V) | 跨导:32(μS) | 极间电容:100(pF) |
| 低频噪声系数:100(dB) | 漏极电流:1.2(mA) | 耗散功率:1.1(mW) |
| AO3404 |
品牌:AD/亚德诺型号:AD7804BR封装:SOP批号:08+制作工艺:半导体集成导电类型:双极型规格尺寸:20(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:50(mW) 类型:通信ICAD7804BR
品牌:IXO型号:IX0101SEZZ封装:DIP批号:08+制作工艺:半导体集成导电类型:双极型规格尺寸:30(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:50(mW) 类型:通信IC IX0101SEZZ"