价 格: | 14.00 |
是否提供加工定制:是 | 产品类型:开关管 | 是否进口:否 |
品牌:国产 | 型号:1N4148 | 材料:硅(Si) |
专营半导体元器件生产销售的独资企业。主要产品有直插、贴片、二/三极管、IC等,广泛应用于网络产品、通讯设备、防盗设备、各类仪表仪器、家用电器、电子玩具、电源充电器等领域。代理经销长电、科威、ST、仙童、ON、KEC等世界元件。
是否提供加工定制:是品牌:FAIRCHILD/仙童型号:2N3906应用范围:放大材料:硅(Si)极性:PNP型集电极允许电流ICM:40(A) 截止频率fT:250(MHz) 结构:点接触型封装形式:直插型封装材料:塑料封装产品型号:2N3906类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极电流Ic(max)(mA):0.200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):250封装/温度(℃):TO92/-55~150"
是否提供加工定制:是品牌:长电型号:S9014应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型集电极允许电流ICM:10(A) 集电极耗散功率PCM:0.625(W) 截止频率fT:30(MHz) 封装形式:贴片型封装材料:塑料封装C9014 NPN三极管△主要用途:作为低频、低噪声前置放大,应用于电话机、VCD、DVD、电动玩具等电子产品(与C9015互补)参数符号测试条件最小值典型值值单 位集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA 0.25 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 60 V集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 150 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数(Ta=25℃)(按HEF1分类)标准分档: B:100-300 C:200-600 D:400-1000TO-921. 发射极 E2. 基 极 B3. 集...