价 格: | 160.00 |
是否提供加工定制:是 | 品牌:国产 | 型号:13003 |
应用范围:放大 | 材料:硅(Si) | 极性:NPN型 |
集电极允许电流ICM:1.5(A) | 集电极耗散功率PCM:1.25(W) | 截止频率fT:5(MHz) |
结构:点接触型 | 封装形式:直插型 | 封装材料:塑料封装 |
电流参数:IC=1.5A
电压参数:UCBO=700V/UCEO=400V/UEBO=9V
功 率:PD=0.6W
其他参数:fT=5MHz
极 性:NPN
是否提供加工定制:是品牌:国产型号:SS8550Y2应用范围:开关材料:硅(Si)极性:PNP型集电极允许电流ICM:-0.5(A) 集电极耗散功率PCM:0.625(W) 截止频率fT:150(MHz) 结构:点接触型封装形式:贴片型封装材料:塑料封装 S8550 TRANSISTOR(PNP)高频三极管简介:主要用于一般用途放大器,中等功率驱动器及中速开关应用特点:★S8550与S8050互补★优越的HFE线性产品标准:规格(Ta=25℃)TO-92电特性(Ta=25℃)参数符号测试条件最小典型单位集电极-基极击穿电压BVCBOIC=-0.1mA-40V集电极-发射极击穿电压BVCEOIC=-1mA-20V发射极-基极击穿电压BVEBOIE=-0.1mA-5V集电极截止电流ICBOVCB=-35V-200nA发射极截止电流IEBOVEB=-4V-200nA直流电流增益hFEVCE=-5V,IC=-5mA85400集电极-发射极饱和电压VCE(sat)IC=-500mA,IB=-50mA-0.6V基极-发射极饱和电压VBE(sat)IC=-500mA,IB=-50mA-1.2V特征频率fTVCB=-10V,IE=-50mA100MHzHFE分档范围:(允许测...
是否提供加工定制:是品牌:国产型号:8050j3y应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型集电极允许电流ICM:0.5(A) 集电极耗散功率PCM:0.3(W) 截止频率fT:150(MHz) 结构:面接触型封装形式:贴片型封装材料:塑料封装 耗散功率0.625W(贴片:0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350而进口的8050(美科,micro)Icm=1.5A,耗散功率1W,