MOS管 三极管 场效应IRFIB7N50A IRFIB7N50APBF IRFIB7N50
| 价 格： | 0.10 |
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 520 毫欧 @ 4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.6A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1423pF @ 25V
功率 - 60W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商设备封装 TO-220-3
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
- 传真：0755-88824483
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MOS管 场效应 三极管 IRFU9210 IRFU9210PBF
信息内容：数据列表 IRFR9210, IRFU9210 产品相片 DPAK_369D−01 产品目录绘图 IR(F,L)U Series Side 1IR(F,L)U Series Side 2IR(F,L)D Series Side 2 标准包装 3,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 1.1A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.9A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 8.9nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 170pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB 供应商设备封装 TO-251 包装 管件
MOS管 三极管 场效应IRFZ14S IRFZ14SPBF IRFZ14STRLPBF
信息内容：数据列表 IRFR9110, IRFU9110 产品相片 DPAK_369D−01 产品目录绘图 IR(F,L)U Series Side 1IR(F,L)U Series Side 2IR(F,L)D Series Side 2 标准包装 3,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.2 欧姆 @ 1.9A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.1A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 8.7nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 200pF @ 25V 功率 - 2.5W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB 供应商设备封装 TO-251 包装 管件
