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MUN5233DW1T1 ON安森美半导体 晶体管 功率250W

价 格: 0.10

标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列 -
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
 
电流 - 集电极 (Ic)() 100mA
 
电压 - 集电极发射极击穿() 50V
 
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 4.7K
 
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) -
 
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 160 @ 5mA, 10V
 
Ib、Ic条件下的Vce饱和度() 250mV @ 1mA, 10mA
 
电流 - 集电极截止() 500nA
 
频率 - 转换 -
 
功率 - 250mW
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
供应商设备封装 SOT-363
 
包装 带卷 (TR)
 

主要经营: TI德州仪器  IR国际整流器  MAX美信/达拉斯  ON安森美  NSC美国国家半导体  PTI百力通  ATMEL艾特梅尔  INF英飞凌  microchip美国微芯  NXP恩智浦  FUJI富士通半导体  ST意法半导体  SAMSUNG三星电子  等世界品牌IC,产品广泛应用于民用、工业、军工等电子产品领域,同时和美、欧、日、韩及台湾等生产厂商及代理销售机构建立了良好的合作关系。


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深圳市广鑫世纪电子有限公司
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