MOS管 三极管 场效应 IRFP21N60PBF IRFP21N60 21N60
| 价 格： | 0.10 |
数据列表 IRFP21N60LPBF
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 320 毫欧 @ 13A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 21A
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4000pF @ 25V
功率 - 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林爱凤
- 电话：0755-88824483
- 传真：0755-88824483
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MOS管 三极管 场效应 IRFP264(94-5772)IRFP264PBF IRFP264NP
信息内容：数据列表 IRFP264 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 75 毫欧 @ 23A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 38A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 210nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 5400pF @ 25V 功率 - 280W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 其它名称 *IRFP264PBF
MOS管 三极管 场效应 IRFP254NPNF IRFP254 IRFP254NPBF
信息内容：数据列表 IRFP254N,SiHFP254N 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 125 毫欧 @ 14A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 23A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 100nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2040pF @ 25V 功率 - 220W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 其它名称 *IRFP254NPBF "
