品牌/商标 | ON | 型号/规格 | MBR20200CTG |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2640 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 MES金属半导体
深圳大量原装进口现货 2009+,欢迎垂询RoHS:否 齐纳电压:22.05 V电压容差:5 % 电压温度系数:0.09 % / C齐纳电流:18 mA 功率耗散:500 mW反向漏泄电流:0.1 uA 齐纳阻抗:55 Ohm安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-80封装:Reel