品牌/商标 | RENESAS | 型号/规格 | FS100UMJ-03 |
封装 | TO-220 | 极限电压 | 30(V) |
极限电流 | 100(A) | 种类 | 绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 | N沟道 | 导电方式 | 增强型 |
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQD20N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 10000(μS) 极间电容 450(pF) 漏极电流 16800(mA) 耗散功率 38000(mW) 图片只做观看之用,请参考产品描述。MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
品牌/商标 RENESAS 型号/规格 H5N3003P 封装 TO-3P 极限电压 300(V) 极限电流 40(A) 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型