品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K3049 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 60(V) | 夹断电压 | 600(V) |
低频跨导 | 2351(μS) | 极间电容 | 232(pF) |
低频噪声系数 | 23(dB) | 漏极电流 | 5(mA) |
耗散功率 | 400(mW) |
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 D1408 产品类型 放大二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 4(A) 反向电压 80V(V)
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 D1267 产品类型 放大二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 4(A) 反向电压 60(V)