品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF1010E |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
漏极电流 | 75A(mA) |
IRF1010 75A 55 14mO 150w
品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK2098 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 150(V) 低频跨导 11(μS) 极间电容 22(pF) 低频噪声系数 33(dB) 漏极电流 20A(mA) 耗散功率 50W(mW) K2098 20A 150V 50W
品牌/商标 IR 三星 摩托罗拉 型号/规格 IRF9620 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 6(V) 夹断电压 200(V) 低频跨导 222(μS) 极间电容 16(pF) 低频噪声系数 3(dB) 漏极电流 3.5(mA) 耗散功率 40(mW)