10N60拆机场效应管
| 价 格： | 1.35 | |
| 品牌： | ST | |
| 型号： | 10N60,20N60,11N60,9N60 |
| 品牌/商标 | ST | 型号/规格 | 10N60,20N60,11N60,9N60 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HI-REL/高可靠性 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
长年现货供应拆机电子元器件
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- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 王小芸
- 电话：0754-82331186
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拆机场效应管17N80C3
信息内容：品牌/商标 英飞凌 型号/规格 17N80C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 800（V） 夹断电压 800（V） 低频跨导 17（μS） 极间电容 17（pF） 低频噪声系数 17（dB） 漏极电流 17（mA） 耗散功率 17（mW）
拆机场效应管IRL2203N，IRL2203
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRL2203N 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 FM/调频 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
