BYV26C 硅整流二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | BYV26C 硅整流二极管 | |
| 封装形式： | - | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 超高频 |
| 产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | 其他 |
| 型号/规格 | BYV26C 硅整流二极管 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | - |
| 封装材料 | - | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | - |
| LED封装 | 无色透明封装(T) | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 高指向性 | 正向直流电流IF | -（A） |
- 所属城市：广东 深圳
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IRF360 TO-3 N沟 大功率场效应管
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF360 TO-3 N沟 大功率场效应管 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -（V） 夹断电压 -（V） 极间电容 -（pF） 低频噪声系数 -（dB） 漏极电流 -（mA） 耗散功率 -（mW） IRF360 TO-3 N沟 大功率场效应管
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信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF350 TO-3 N沟 大功率场效应管 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -（V） 夹断电压 -（V） 极间电容 -（pF） 低频噪声系数 -（dB） 漏极电流 -（mA） 耗散功率 -（mW） IRF350 TO-3 N沟 大功率场效应管
