IRGPS60B120KD电源开关,电源管,场效应管,MOS管 IGBT IR国际整流
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRGPS60B120KD |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRGPS60B120KD |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | MES金属半导体 |
| 开启电压 | 120（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 60（mA） |
| 耗散功率 | 595（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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2SC5287 日本三肯 SANKEN 音响功放对管 原装 假一赔十
信息内容：品牌/商标 SAK日本三肯 型号/规格 2SC5287 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 220（V） 夹断电压 250（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
IXTK62N25 IXYS 电源开关,电源管,场效应管,MOS管 IGBT假一赔十
信息内容：品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTK62N25 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） IXYS IXTK62N25 原装 TO-264 07年 以当天报价为准
