场效应管W20NC50
| 价 格： | 1.10 | |
| 品牌： | ST | |
| 型号： | W20NC50 20N60 |
| 品牌/商标 | ST | 型号/规格 | W20NC50 20N60 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | MES金属半导体 |
| 开启电压 | ,（V） | 夹断电压 | ,（V） |
| 低频跨导 | ,（μS） | 极间电容 | ,（pF） |
| 低频噪声系数 | ,（dB） | 漏极电流 | ,（mA） |
| 耗散功率 | ,（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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拆机G40N150 40N150 场效应管
信息内容：品牌/商标 进口 型号/规格 G40N150 40N150 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 ,（V） 夹断电压 ,（V） 跨导 ,（μS） 极间电容 ,（pF） 低频噪声系数 ,（dB） 漏极电流 ,（mA） 耗散功率 ,（mW）
拆机【K2368 2SK2368】场效应管
信息内容：品牌/商标 进口 型号/规格 K2368 2SK2368 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 ;（V） 夹断电压 '（V） 低频跨导 ;（μS） 极间电容 .（pF） 低频噪声系数 ,（dB） 漏极电流 ,（mA） 耗散功率 ,（mW）
