BT136-600E 飞利浦 原装 可控硅
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 其他 | |
| 型号： | BT136-600E BT136 飞利浦 原装正品 双向可控硅 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | BT136-600E BT136 飞利浦 原装 双向可控硅 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | -（V） | 夹断电压 | -（V） |
| 极间电容 | -（pF） | 低频噪声系数 | -（dB） |
| 漏极电流 | -（mA） | 耗散功率 | -（mW） |
BT136-600E BT136 飞利浦 原装 双向可控硅
- 所属城市：广东 深圳
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IRG4RC10SDTRR 场效应三极管
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRG4RC10SDTRR IRG4RC10 场效应三极管 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -（V） 夹断电压 -（V） 极间电容 -（pF） 低频噪声系数 -（dB） 漏极电流 -（mA） 耗散功率 -（mW） IRG4RC10SDTRR IRG4RC10 场效应三极管
IRG4RC10SDTRL 场效应三极管
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRG4RC10SDTRL IRG4RC10 场效应三极管 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -（V） 夹断电压 -（V） 极间电容 -（pF） 低频噪声系数 -（dB） 漏极电流 -（mA） 耗散功率 -（mW） IRG4RC10SDTRL IRG4RC10 场效应三极管
