IRG4PH40UD电源开关,电源管,场效应管,MOS管 IGBT IR美国整流器
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRG4PH40UD |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRG4PH40UD |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | SENSEFET电流敏感 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 20（mA） |
| 耗散功率 | 160（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IXYS 场效应管 三极管 IXTH50N20 原装，假一赔十
信息内容：品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTH50N20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 SB肖特基势垒栅 开启电压 200（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 50（mA） 耗散功率 1（mW）
IXYS IXFH20N60原装
信息内容：品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXFH20N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
