品牌/商标 | ST | 型号/规格 | W12NK90Z |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | LMP-C/阻抗变换 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | .(V) | 夹断电压 | .(V) |
跨导 | .(μS) | 极间电容 | .(pF) |
低频噪声系数 | .(dB) | 漏极电流 | .(mA) |
耗散功率 | .(mW) |
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产品类型 快恢复二极管 品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 30JL2C 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 TO-3P 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 600(V) 正向直流电流IF 30(A) 质量问题7天可以退货手机15976905886QQ1666727955
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 75G8224 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 600(V) 集电极允许电流ICM 50(A) 集电极耗散功率PCM .(W) 截止频率fT .(MHz) 结构 平面型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 dzsc/18/7645/18764536.jpgdzsc/18/7645/18764536.jpg...........................dzsc/18/7645/18764536.jpg.................................