14A 250V 125W场效应管IRF644
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | IRF644 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | IRF644 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 250（V） |
| 极间电容 | 32（pF） | 低频噪声系数 | 2（dB） |
| 漏极电流 | 14（mA） | 耗散功率 | 125（mW） |
IRF644：14A 250V <0.28 125W
- 所属城市：广东 汕头
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现货供应6A 600V场效应MOS管2SK2141
信息内容：品牌/商标 日本NEC 型号/规格 2SK2141 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 20（μS） 极间电容 2000（pF） 漏极电流 6A（mA） 耗散功率 50W（mW）
批发折机 12A 500V 场效应管K3469
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K3469 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 6（V） 夹断电压 500（V） 低频跨导 2653（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 16（dB） 漏极电流 12（mA）
