12A 60V场效应管J147
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J147 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J147 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 2314（μS） | 极间电容 | 24（pF） |
| 低频噪声系数 | 3（dB） | 漏极电流 | 12（mA） |
- 所属城市：广东 汕头
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8.1A 250V 74W场效应管IRF634
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 IRF634 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 250（V） 极间电容 35（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 8.1（mA） 耗散功率 74（mW） IRF634：8.1A 250V <0.45 74W
4.7A 50V场效应管IRF9Z10
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF9Z10 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 50（V） 低频跨导 2222（μS） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 4.7（mA）
