18A 100V场效应管J656
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J656 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J656 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 低频跨导 | 2321（μS） | 极间电容 | 32（pF） |
| 低频噪声系数 | 5（dB） | 漏极电流 | 18（mA） |
- 所属城市：广东 汕头
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18A 60V场效应管IRF9Z34
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF9Z34 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 6（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2231（μS） 极间电容 25（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 18（mA）
11A 60V场效应管IRF9Z24
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 IRF9Z24 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2122（μS） 极间电容 24（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 11（mA） P场IRF9Z24的参数：11A 60V
