品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 150(V) | 夹断电压 | 150(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
IXFH80N10,80N10
IXFH80N10,80N10
IXFH80N10,80N10
IXFH80N10,80N10
品牌/商标 进口 型号/规格 250v220uf,250v330uf,250v470uf,250v680uf,200v220uf,200v330uf,200v470uf,200v680uf 介质材料 铝电解 应用范围 滤波 外形 圆柱形 功率特性 大功率 频率特性 超高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±20(%) 耐压值 250(V) 标称容量 220 损耗 1 额定电压 250(V) 额定电流 3(A) 长dzsc/18/7619/18761990.jpg期供应拆机电子元器件配件。产品有拆机,电解电容,三极管,场效应管,安规电容,集成电路。250V220UF 22X30 0.85
品牌/商标 STC美国硅晶体管 型号/规格 W8NB100 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1000(V) 夹断电压 1000(V) 低频跨导 10(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 8(mA) 耗散功率 180(mW)