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拆机场效应管IXTH75N15,75N15

价 格: 4.50
品牌:IXY美国电报半导体
型号:IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10

品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 150(V) 夹断电压 150(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA)
耗散功率 1(mW)


IXFH80N10,80N10
IXFH80N10,80N10

IXFH80N10,80N10

IXFH80N10,80N10

王小芸
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王小芸
  • 电话:0754-82331186
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长期供应电源拆机电解电容250V220UF

信息内容:

品牌/商标 进口 型号/规格 250v220uf,250v330uf,250v470uf,250v680uf,200v220uf,200v330uf,200v470uf,200v680uf 介质材料 铝电解 应用范围 滤波 外形 圆柱形 功率特性 大功率 频率特性 超高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±20(%) 耐压值 250(V) 标称容量 220 损耗 1 额定电压 250(V) 额定电流 3(A) 长dzsc/18/7619/18761990.jpg期供应拆机电子元器件配件。产品有拆机,电解电容,三极管,场效应管,安规电容,集成电路。250V220UF 22X30 0.85

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拆机场效应管W8NB100, 8N100

信息内容:

品牌/商标 STC美国硅晶体管 型号/规格 W8NB100 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1000(V) 夹断电压 1000(V) 低频跨导 10(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 8(mA) 耗散功率 180(mW)

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