价 格: | 50.00 | |
型号/规格: | 17-21UYOC/S530-A2/TR8 | |
品牌/商标: | 亿光 | |
发光颜色: | 橙光 |
③ 用Eg大的化合物半导体作衬底以减少晶体内光吸收。有人曾经用n=2.4~2.6的低熔点玻璃[成分As-S(Se)-Br(I)]且热塑性大的作封帽,可使红外GaAs、GaAsP、GaAlAs的LED效率提高4~6倍。
2.5发光亮度
亮度是LED发光性能又一重要参数,具有很强方向性。其正法线方向的亮度BO=IO/A,指定某方向上发光体表面亮度等于发光体表面上单位投射面积在单位立体角内所辐射的光通量,单位为cd/m2 或Nit。
若光源表面是理想漫反射面,亮度BO与方向无关为常数。晴朗的蓝天和荧光灯的表面亮度约为7000Nit(尼特),从地面看太阳表面亮度约为14×108Nit。
③ 发光效率——量子效率η=发射的光子数/pn结载流子数=(e/hcI)∫λPλdλ 若输入能量为W=UI,则发光能量效率ηP=P/W 若光子能量hc=ev,则η≈ηP ,则总光通F=(F/P)P=KηPW 式中K= F/P ④ 流明效率:LED的光通量F/外加耗电功率W=KηP 它是评价具有外封装LED特性,LED的流明效率高指在同样外加电流下辐射可见光的能量较大,故也叫可见光发光效率。 品质优良的LED要求向外辐射的光能量大,向外发出的光尽可能多,即外部效率要高。事实上,LED向外发光仅是内部发光的一部分,总的发光效率应为 η=ηiηcηe ,式中ηi向为p、n结区少子注入效率,ηc为在势垒区少子与多子复合效率,ηe为外部出光(光取出效率)效率。 由于LED材料折射率很高ηi≈3.6。当芯片发出光在晶体材料与空气界面时(无环氧封装)若垂直入射,被空气反射,反射率为(n1-1)2/(n1+1)2=0.32,反射出的占32%,鉴于晶体本身对光有相当一部分的吸收,于是大大降低了外部出光效率。 为了进一步提高外部出光效率ηe可采取以下措施:① 用折射率较高的透明材料(环氧树脂n=1.55并不理想)覆盖在芯片表面;② 把芯片晶体表...
2.3 光通量 光通量F是表征LED总光输出的辐射能量,它标志器件的性能优劣。F为LED向各个方向发光的能量之和,它与工作电流直接有关。随着电流增加,LED光通量随之增大。可见光LED的光通量单位为流明(lm)。 LED向外辐射的功率——光通量与芯片材料、封装工艺水平及外加恒流源大小有关。目前单色LED的光通量约1 lm,白光LED的F≈1.5~1.8 lm(小芯片),对于1mm×1mm的功率级芯片制成白光LED,其F=18 lm。 2.4 发光效率和视觉灵敏度 ① LED效率有内部效率(pn结附近由电能转化成光能的效率)与外部效率(辐射到外部的效率)。前者只是用来分析和评价芯片优劣的特性。 LED光电最重要的特性是用辐射出光能量(发光量)与输入电能之比,即发光效率。