| 品牌/商标 | FUJ | 型号/规格 | 2SK3693 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
| 低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
| 低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
| 耗散功率 | 0(mW) |
供应一系列三极管
| DS1233 | DALLAS |
| DS1001 | DALLAS |
| DS1004 | DALLAS |
| DS1832 | DALLAS |
| DS1623S | DALLAS |
| DS2502 | DALLAS |
| DS1236S | DALLAS |
| DS1336S | DALLAS |
| DS1267S | DALLAS |
| DS2257 | DALLAS |
| DS1210S | DALLAS |
| DS2109S | DALLAS |
| DS1211S | DALLAS |
| DS1228S | DALLAS |
| DS12885S | DALLAS |
| DS1010S | DALLAS |
| DS1232S | DALLAS |
| DS23AS | DALLAS |
| DS21S07A | DALLAS |
| DS1013S | DALLAS |
| DS1231S | DALLAS |
| DS2108S | DALLAS |
| IRF3713 | |
| BUK455-100 | |
| H3011P | |
| H2519P | |
| H2509P | |
| H5N2008P | |
| H5N1503P | |
| IRFB4710 | |
| IRFDP047N08 | |
| IRFDP3652 | |
| IRFDP3632 | |
| 75645P | |
| 75545P | |
| 75542P | |
| 40TPS12 | |
| 40TPS08 | |
| 2SK3235 | |
| 2SK2955 |
品牌/商标 MIT 型号/规格 2SK1637 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)
品牌/商标 FUJ 型号/规格 2SK3502 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列场效应管2SK2761富士通 2SK2761FUJI 2SK2765FUJI 2SK2767富士通 2SK2769富士通 2SK2792ROHM 2SK2793ROHM 2SK2798SHI 2SK2799富士通 2SK2803三肯 2SK2806FUJI 2SK2808富士通 2SK2808FUJI 2...