FDS6614A结型场效应管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD | |
| 型号： | FDS6614A |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FDS6614A |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 1.0（V） |
| 低频跨导 | 3（μS） | 极间电容 | 5（pF） |
| 低频噪声系数 | 6（dB） | 漏极电流 | 9.3A（mA） |
| 耗散功率 | 3000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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FDS6898AZ 场效应管|
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FDS6898AZ 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 2.4（V） 低频跨导 35（μS） 极间电容 633（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 9.4A（mA） 耗散功率 3000（mW） 数据列表FDS6898AZ产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘...
增强型MOS管N沟道 FDS6570A 原装
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FDS6570A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 2.（V） 低频跨导 36（μS） 极间电容 3（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 15A（mA） 耗散功率 3000（mW） 数据列表FDS6570A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power ...
