品牌/商标 | HITACHI | 型号/规格 | B955,2SB955 |
应用范围 | 达林顿 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 120(V) |
集电极允许电流ICM | 10(A) | 集电极耗散功率PCM | 50(W) |
截止频率fT | /(MHz) | 结构 | 点接触型 |
封装形式 | TO-220 | 封装材料 | 金属封装 |
B955,2SB955参数;PNP-DARL+D 120V 10A 50W ,裕盛电子长期批发零售达林顿三极管,普通三极管,音响互补三极管,场效应管,可控硅,肖特基二极管,快恢复二极管,三端稳压,集成电路,价格有优势,欢迎查询选购
品牌/商标 MITSUBIS(三菱) 型号/规格 C1971,2SC1971 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO /(V) 集电极允许电流ICM /(A) 集电极耗散功率PCM /(W) 截止频率fT /(MHz) 封装形式 T0-220 封装材料 金属封装 三菱高频管C1971,2SC1971是一款工作于VHF频段的NPN发射管,特性:高功率增益:Gpe>=10dB 良好的工作性能 输出功率:在VHF频段能提供4-5W的输出功率电气特性: VCBO集电极-基极电压<35V VEBO发射极-基极电压<4V VCEO集电极-发射极电压<17V IC集电极电流<1.2A 使用时请不要超过上面的值,否则有可能烧毁管子 裕盛...
品牌/商标 ON 型号/规格 J1029,2SJ1029 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 /(V) 夹断电压 /(V) 跨导 /(μS) 极间电容 /(pF) 低频噪声系数 /(dB) 漏极电流 /(mA) 耗散功率 /(mW)