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BT131 BT169 (可控硅)

价 格: 面议
品牌:浩辉
型号:BT131

品牌/商标 浩辉 型号/规格 BT131
控制方式 双向 极数 二极
封装材料 塑料封装 封装外形 平板形
关断速度 普通 散热功能 带散热片
频率特性 低频 额定正向平均电流 1(A)
控制极触发电流 1000(mA) 稳定工作电流 1(A)
反向重复峰值电压 800(V)

我公司生产销售可控硅三极管(TO-92):BT131    BT169      MAC97A6       MAC97A8        MCR100-6      MCR100-8   ,原装环保、厂家直销、单价优势!!

温春辉
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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公司相关产品

厂家供应1N60 TO-92 场效应管

信息内容:

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 1N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 V-FET/V型槽MOS 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 1000(mA) 耗散功率 10(mW) 我公司长期大量供应原装仙童场效应管:1N60 TO-92 封装,电流1A,电压600V,袋装包装,最小包装1000PCS/包,好有TO-251和TO-252封装,原装环保、品质稳定、单价优势

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批量供应仙童1N60 TO-251 场效应管

信息内容:

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 1N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1000(mA) 耗散功率 1000(mW)

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