品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | 2SC2712-GR |
应用范围 | 功率 | 材料 | 其他 |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 0(V) |
集电极允许电流ICM | 00(A) | 集电极耗散功率PCM | 00(W) |
截止频率fT | 0000(MHz) | 结构 | 平面型 |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
品牌/商标 vjshay 型号/规格 SI9161BG-T1 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 000(V) 夹断电压 00(V) 低频跨导 00(μS) 极间电容 00(pF) 低频噪声系数 00(dB) 漏极电流 00(mA) 耗散功率 00(mW) 代理销售贴片电子代理销售贴片电子元器件,场效应管 高频管 钽电容 电阻 电容 电感 磁珠 IC 等!配套元件!质量保证!元器件,场效应管 高频管 钽电容 电阻 代理销售贴片电子元器件,场...
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SUM110P06-07L-E3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 000(V) 夹断电压 00(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 00(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 电子元器件供应 0755-83255679 IR AOS VISHAY NEC TDK MURATA NXP ROHM AVX KEMET