光宇睿芯 场效应管SE3400
| 价 格： | 280.00 | |
| 品牌： | SINO-IC | |
| 型号： | SE3400 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE3400 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 5.8（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
光宇睿芯微电子四大比较优势：1）性能、参数优异，可以和国外同类产品媲美；2）交货周期短，交货及时；3）价格适中；4）研发能力突出，可根据客户的需求研发出性能独特且满足客户需求的产品。”
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MOS管SE2305场效应管
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE4946 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 60（μS） 极间电容 800（pF） 低频噪声系数 800（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 800（mW）
锂电池MOS SE8209 SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8209 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 20（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 光宇睿芯微电子四大比较优势：1）性能、参数优异，可以和国外同类产品媲美；2）交货周期短，交货及时；3）价格适中；4）研发能力突出，可根据客户的需求研发出性能独特且满足客户需求的产品。”
