AP85T03GH
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | APEC | |
| 型号： | AP85T03GH |
| 品牌/商标 | APEC | 型号/规格 | AP85T03GH |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | TO-252（V） | 夹断电压 | .（V） |
| 跨导 | .（μS） | 极间电容 | .（pF） |
| 低频噪声系数 | .（dB） | 漏极电流 | .（mA） |
| 耗散功率 | .（mW） |
AP85T08GP VDS=80V IDS=75A TO-220
AP9972GP VDS=60V IDS=60A TO-220
AP70T03GH VDS=30V IDS=60A TO-252(H)
AP85T03GH VDS=30V IDS=75A TO-252(H)
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 古委利
- 电话：0755-33034807
- 传真：0755-33034807
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AP85T08GP
信息内容：品牌/商标 APEC 型号/规格 AP85T08GP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MIN/微型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 TO-252（V） 夹断电压 .（V） 跨导 .（μS） 极间电容 .（pF） 低频噪声系数 .（dB） 漏极电流 .（mA） 耗散功率 .（mW） AP85T08GP VDS=80V IDS=75A TO-220AP9972GP VDS=60V IDS=60A TO-220AP70T03GH VDS=30V IDS=60A TO-252(H)AP85T03GH VDS=30V IDS=75A TO-252(H)
AP2301AGN
信息内容：品牌/商标 APEC 型号/规格 AP2301AGN 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MIN/微型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 SOT-23（V） 夹断电压 .（V） 跨导 .（μS） 极间电容 .（pF） 低频噪声系数 .（dB） 漏极电流 .（mA） 耗散功率 .（mW） AP2301AGN VDS=-20V IDS=-3.3A SO-23(N）AP2302AGN VDS=20V IDS=4.6A SO-23(N）AP2305AGN VDS=-30V IDS=-3.2A SO-23(N） AP2306AGN VDS=30V IDS=5A SO-23(N）
